东芝电子元件及储存装置株式会社宣布推出小型双通道MOSFET SSM6N357R,此款新产品在漏极(Drain)和闸极端子(Gate terminals)之间有内建二极管(Diode)。此IC适用于驱动机械继电器(Mechanical relays)等电感负载。量产出货即日启动。
SSM6N357R整合下拉电阻器(pull-down resistor)、串联电阻器和稳压二极管(Zener diode),助于减少零件数量并节省PCB板空间。另外,此IC采用双通道式封装(2 in 1),与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单通道式封装产品的替代方案相比,其安装面积减小42%。
SSM6N357R采用业界标准的TSOP6F等级封装,具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证,适合车用及许多其他应用。
应用方面
- 车用继电器和螺线管控制(Solenoid control)
- 工业应用继电器和螺线管控制(Solenoid control)
- 办公设备离合器控制(Clutch control)
产品特点
- 可节省PCB空间且减少零件数量(实现下拉电阻器,串联电阻器和稳压器二极管的整合)
- 3.0V低工作电压
- 双通道式封装(2 in 1)
- 通过AEC-Q101认证
主要规格
项目 | 特性 | ||
绝对最大额定值 | 漏源极电压 | 60 | |
闸源极电压 | ±12 | ||
漏极电流 | 0.65 | ||
电器特性 | 漏源极导通电组 | |VGS|=3.0V | 2400 |
|VGS|=5.0V | 1800 | ||
闸极总电荷 | 1.5 | ||
输入电容 | 43 | ||
封装 | 2.9mm×2.8mm; |
Equivalent Circuits